Samsung, yeni Exynos 2600 yonga setini sadece gelecekteki amiral gemisi telefonlarının ana işlemcisi olarak değil, aynı zamanda şirketin 2 nanometre üretim sürecinin ilk büyük vitrini olarak konumlandırıyor. 3 nanometre siparişlerinde beklenen başarıyı yakalayamayan Samsung, bu yeni çip ile istikrarlı performans ve daha iyi verimlilik sunarak müşteri güvenini yeniden kazanmayı hedefliyor.
ISINMA SORUNLARINA KARŞI DEVRİM NİTELİĞİNDE BİR ÇÖZÜM
Güney Kore'den gelen bir rapora göre, Samsung, Exynos 2600 için Apple ve Qualcomm gibi devlerin dikkatini çeken yeni bir soğutma teknolojisi geliştirdi. Bu şirketler, önceki Samsung yonga setlerinde yaşanan termal ve stabilite sorunları nedeniyle son çiplerinde büyük ölçüde TSMC'ye yönelmişti. Samsung, bu endişeleri 'Heat Path Block' (Isı Yolu Engelleme) adını verdiği bir paketleme yöntemiyle gidermeyi planlıyor.
DRAM'İN YERİ DEĞİŞTİ, ISI DOĞRUDAN TAHLİYE EDİLİYOR
Heat Path Block tasarımı, mobil uygulama işlemcisinin hemen üzerine bir bakır ısı alıcısı yerleştiriyor. Bu düzeni mümkün kılmak için Samsung, DRAM'i yonganın üzerine istiflemek yerine işlemcinin yan tarafına taşıdı. Bu yeni yerleşim, ısı alıcısının ana çiple doğrudan temas etmesini sağlayarak ısının çok daha hızlı bir şekilde uzaklaştırılmasına olanak tanıyor. Dahili testler, bu teknolojinin önceki Exynos nesline kıyasla termal performansta %30'a varan bir iyileşme sağladığını gösteriyor.
2 NANOMETRE İLE TSMC'YE REKABET ŞANSI
Samsung, 3 nanometre talebinin çoğunu erken süreç teknolojisine olan güvensizlik nedeniyle kaçırmıştı. Şirket şimdi 2 nanometre lansmanında daha temkinli davranıyor, ancak bu düğümün TSMC ile rekabet etme şansının daha yüksek olduğuna inanıyor. Exynos 2600'ün, 2 nanometre üretim hattının bir tüketici cihazında neler başarabileceğinin ilk gerçek gösterimi olması bekleniyor. Eğer hedeflenen termal ve performans kazanımları sağlanırsa, bu durum Samsung'un büyük çip tasarımcılarıyla olan güvenini yeniden inşa etmesine ve gelecekteki 2 nanometre siparişlerini güvence altına almasına yardımcı olabilir.